エージング進行中

今更ですが明けましておめでとうございます。
今年からはですます調に改めます。読み返して偉そうにも程があると感じたので・・。

アンプですが、いつもの事ながら鳴らし続けていくと特に低音部の変化が顕著です。さらにクッキリドッシリしてきました。PCからのアナログ出しの限界を感じてしまったではないか。。

上はアンプ基板の全景。DAC基板からの電流出力をまず左端のオペアンプで電圧変換、LPFと電圧増幅を隣のオペアンプで担っています。その後、正負独立に調整可能なバイアス回路、MOSFETの入力容量を十分にドライブするためのバッファ段を経て2SK1529&2SJ200の終段へとつながるシンプルな構成です。上下対称型です。定本に出てくる回路の改変版ですね。
バッファ段のTrはhfeを選別したペアを使用した方が歪率の点で良いかと思われ。今回は余り意味がないと思いつつ、バイアス段も選別しました。
入力からバイアス段までの電源はLDOで安定化しております。最近出た、TIの超低雑音です。コンデンサは主にタンタルとフィルムで、終段直近のデカップリングだけ電解です。タンタルは低ESR品、フィルムはパナのECHUで、これも低歪を意識しての事です。電解はパナのFMという、これも超低ESR品です。

ECHU、自作派の方々が良く使用されていますが、これの実装は正直かなり難しいです。特に小さいパッケージのものは少しでも熱を加えすぎるとフィルムと電極が剥離してくるのか、平気で1割以上容量が減ります。データシートにもリフロー専用ときっちり書いてありますし。70um基板との組み合わせでかなり苦労しました・・。正直誤算でした。余り頻繁に使いたくないですね。
抵抗についても熱雑音の少ない表面実装品をという事でかなり選択に時間をかけましたが詳しくは次回。。
バイアス部とバッファ段のアイドル電流用にはこれまた低雑音のJFETを選別して使用してます。2SK369だっけか。今回Trも含め選別のためにかなりの数を購入しました。懐具合無視です。
また、お遊び要素的に、NFBのオーバーオールor局部帰還の選択用スイッチと、電流正帰還のON/OFF用スイッチを付けてあります。電流正帰還をONにした場合はゲインが少し下がるので、音質の比較には気を付けねばなりません。

ヒートシンクとの結合はこんな感じ。バイアス段とMOSFETの熱結合も兼ねてます。通常、過補償になりがちなのですが多少の距離があるのでマシになる・・・はず。
と思いつつ、電源オン後のアイドリング電流変化をしばらく見てみたら、それでも過補償気味でした。オリジナルよりは緩和されてますが。
ついでに収束後の電流を150mAになるように変更して変化を見てますが、この程度の変更でも確実に良くなってますねぇ。その内もっと増やそう。